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图七钙钛矿LED器件的恶化途径钙钛矿活性层直接降解的途径包括产生超氧物导致分解、界各水分诱导分解以及相分离自发分解。何玩慧城(b)三维钙钛矿晶体结构。

图四用于发光的杂化钙钛矿(a)钙钛矿基体中引入发光材料，转智不影响光电激发和辐射复合。(b,c)不同带隙的钙钛矿可选用的电子、看世空穴传输层。掺杂物的迁移以及氧气和水分对钙钛矿的渗透是稳定性的主要限制因素，界各凸显了化学惰性封装的重要性。

何玩慧城(b)低维钙钛矿的能量传递机制。转智器件稳定性问题亟待解决。

电子、看世空穴注入层通过与迁移离子电化学反应发生降解。

目前钙钛矿LED发展存在的挑战主要是：界各需要进一步提高器件效率，以期超过有机发光二极管（OLED）和无机量子点LED（QLED）。其在许多溶剂中都具有良好的溶解性，何玩慧城此外，其具备可热加工性能，这些都使得在生物和医学领域存在广泛的应用价值。

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